Aluminium Nitride (AlN) ialah kristal atom kepunyaan nitrida seperti berlian, yang boleh mengekalkan kestabilan sehingga 2200 darjah . Ia mempamerkan kekuatan tinggi pada suhu bilik, dan kekuatannya berkurangan secara agak perlahan dengan peningkatan suhu. Mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik dan pekali pengembangan haba yang rendah, AlN ialah bahan yang luar biasa untuk rintangan kejutan haba. Rintangan kuatnya terhadap hakisan logam cair menjadikannya bahan pijar yang ideal untuk mencairkan dan menuang aloi besi, aluminium atau aluminium tulen. Selain itu, AlN ialah penebat elektrik dengan sifat dielektrik yang baik, menunjukkan potensi yang menjanjikan untuk digunakan sebagai komponen elektrik. Salutan AlN pada permukaan galium arsenide boleh melindunginya daripada implantasi ion semasa penyepuhlindapan.
Tambahan pula, AlN berfungsi sebagai pemangkin untuk transformasi daripada boron nitrida heksagon kepada boron nitrida padu. Pada suhu bilik, ia bertindak balas perlahan dengan air. AlN boleh disintesis dengan bertindak balas serbuk aluminium dalam suasana ammonia atau nitrogen pada 800-1000 darjah, menghasilkan serbuk putih hingga kelabu-biru. Sebagai alternatif, ia boleh disintesis daripada sistem Al2O3-C-N2 pada 1600-1750 darjah, menghasilkan serbuk putih kelabu. Ia juga boleh diperolehi melalui tindak balas fasa gas antara aluminium klorida dan ammonia. Salutan boleh disintesis dengan kaedah pemendapan fasa gas menggunakan sistem AlCl3-NH3.
Hartanah
Kekonduksian terma yang tinggi (kira-kira 20 W/m·K), setanding dengan BeO dan SiC, dan lebih 5 kali ganda daripada Al2O3.
Pekali pengembangan terma (4.5×10-6 darjah ) yang sepadan dengan baik dengan Si (3.5-4×10-6 darjah ) dan GaAs (6×10-6 darjah ).
Sifat elektrik yang sangat baik, termasuk pemalar dielektrik, kehilangan dielektrik, kerintangan pukal, dan kekuatan dielektrik.
Sifat mekanikal yang unggul, dengan kekuatan lentur yang lebih tinggi daripada seramik Al2O3 dan BeO, membolehkan pensinteran pada tekanan atmosfera.
Kesucian yang tinggi.
Ciri penghantaran optik yang sangat baik.
Sesuai untuk proses tuangan pita, menjadikannya substrat yang menjanjikan dan bahan pembungkusan untuk litar bersepadu berkuasa tinggi.
Aplikasi
AlN menemui aplikasi dalam optoelektronik, termasuk sebagai lapisan dielektrik dalam antara muka storan optik dan substrat elektronik, sebagai pembawa cip kerana kekonduksian terma yang tinggi, dan untuk tujuan ketenteraan.
Dengan memanfaatkan kesan piezoelektriknya, lanjutan epitaxial kristal AlN digunakan dalam pengesan gelombang akustik permukaan, yang diletakkan pada wafer silikon. Hanya beberapa lokasi yang boleh menghasilkan filem nipis ini dengan pasti.
Menggunakan kekuatan bilik tinggi dan suhu tinggi, pekali pengembangan yang rendah, dan kekonduksian terma yang baik, seramik AlN boleh digunakan sebagai komponen struktur suhu tinggi dan bahan penukar haba.
Memandangkan ketahanannya terhadap kakisan oleh logam dan aloi seperti besi dan aluminium, seramik AlN boleh berfungsi sebagai acuan dan acuan tuangan untuk mencairkan dan menuang logam seperti Al, Cu, Ag, dan Pb.
Cool tags: serbuk aluminium nitrida, pengeluar serbuk nitrida aluminium China, pembekal, kilang
